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著者 (3件)：
資料名：
巻： 58 号： 8 ページ： 854-855 発行年： 1991年02月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902050482667561
整理番号：91A0310843
In0.36Ga0.64As/GaAs単一量子井戸の臨界層厚の温度依存性
Temperature-dependent critical layer thickness for In0.36Ga0.64As/GaAs single quantum wells.
EKENSTEDT M J
(Chalmers Univ. Technology, Goeteborg, SWE)
,
WANG S M
(Chalmers Univ. Technology, Goeteborg, SWE)
,
ANDERSSON T G
(Chalmers Univ. Technology, Goeteborg, SWE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 58 号： 8 ページ： 854-855 発行年： 1991年02月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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