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著者 (7件)：
資料名：
巻： 115 号： 1/4 ページ： 628-633 発行年： 1991年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902051085314349
整理番号：92A0254225
AlNバッファ層を用いてサファイア上のGaNのMOVPEの成長機構
Growth mechanism of GaN grown on sapphire with AlN buffer layer by MOVPE.
HIRAMATSU K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KUWANO N
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ITOH S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SHIRAISHI T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
AMANO H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OKI K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
AKASAKI I
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 115 号： 1/4 ページ： 628-633 発行年： 1991年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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