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資料名：
巻： 39 号： 9 ページ： 2007-2014 発行年： 1992年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902051128357608
整理番号：92A0718715
50nm自己整合ゲート疑似形態AlInAs/GaInAs高電子移動度トランジスタ
50-nm Self-Aligned-Gate Pseudomorphic AlInAs/GaInAs High Electron Mobility Transistors.
NGUYEN L D
(Hughes Research Lab., CA)
,
BROWN A S
(Hughes Research Lab., CA)
,
THOMPSON M A
(Hughes Research Lab., CA)
,
JELLOIAN L M
(Hughes Research Lab., CA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 39 号： 9 ページ： 2007-2014 発行年： 1992年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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