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著者 (2件)：
資料名：
巻： 48 号： 3 ページ： 224-226 発行年： 1986年01月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902052650398205
整理番号：86A0266849
Czochralski法Si中の酸素析出に関する窒素の効果
Nitrogen effect on oxygen precipitation in Czochralski silicon.
SHIMURA F
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
HOCKETT R S
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 48 号： 3 ページ： 224-226 発行年： 1986年01月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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