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著者 (9件)：
資料名：
巻： 1 号： 1 ページ： 77-104 発行年： 1988年08月
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902052711157451
整理番号：89A0005957
広バンドギャップ半導体であるダイアモンド,GaNおよびSiCに関する将来の研究領域の状況の批判的評価
Critical evaluation of the status of the areas for future research regarding the wide band gap semiconductors diamond, gallium nitride and silicon carbide.
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SITAR Z
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
WILLIAMS B E
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
KONG H S
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
KIM H J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
PALMOUR J W
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
EDMOND J A
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
RYU J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
GLASS J T
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 1 号： 1 ページ： 77-104 発行年： 1988年08月
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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