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著者 (3件)：
資料名：
巻： 35 号： 12 ページ： 2259-2267 発行年： 1988年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902053997455779
整理番号：89A0084028
超薄SiO2膜の高電界による劣化
High-field-induced degradation in ultra-thin SiO2 films.
OLIVO P
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
NGUYEN T N
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
RICC<span style=text-decoration:overline>O ́</span> B
(Univ. Bologna, Bologna, ITA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 35 号： 12 ページ： 2259-2267 発行年： 1988年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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