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資料名：
巻： 26 号： 3 ページ： 315-330 発行年： 1987年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902054111401173
整理番号：87A0280062
オプトエレクトロニクス用の半導体量子井戸構造 最近の進展と将来の展望
Semiconductor quantum-well structures for optoelectronics. Recent advances and future prospects.
OKAMOTO H
(NTT Electrical Communications Lab., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 26 号： 3 ページ： 315-330 発行年： 1987年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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