文献
J-GLOBAL ID:200902054699454081
整理番号:92A0573266
高移動度Siの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける量子化Hallプラトーの異状な挙動
Anomalous behavior of a quantized Hall plateau in a high-mobility Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.
著者 (4件):
YOSHIHIRO K
(National Inst. Standards and Technology, Maryland)
,
VAN DEGRIFT C T
(National Inst. Standards and Technology, Maryland)
,
CAGE M E
(National Inst. Standards and Technology, Maryland)
,
YU D
(National Inst. Standards and Technology, Maryland)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
45
号:
24
ページ:
14204-14214
発行年:
1992年06月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)