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著者 (2件)：
資料名：
巻： 38 号： 11 ページ： 863-865 発行年： 1981年06月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902055369220021
整理番号：82A0094873
Ga1-xAlxAs-GaAsヘテロ構造の組成プロフィルのin situエリプリメトリーによる評価
Assessment by in situ ellipsometry of composition profiles of Ga1-xAlxAs-GaAs heterostructures.
HOTTIER F
(Lab. Electronique et de Physique Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>e, France)
,
LAURENCE G
(Lab. Electronique et de Physique Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>e, France)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 38 号： 11 ページ： 863-865 発行年： 1981年06月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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