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著者 (9件)：
資料名：
巻： 56 号： 14 ページ： 1353-1355 発行年： 1990年04月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902055609912422
整理番号：90A0415121
6H-SiC基板上への膜質を改善した3C-SiC膜の成長
Growth of improved quality 3C-SiC films on 6H-SiC substrates.
POWELL J A
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
LARKIN D J
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
MATUS L G
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
CHOYKE W J
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
BRADSHAW J L
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
HENDERSON L
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
YOGANATHAN M
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
YANG J
(Case Western Reserve Univ., Ohio)
,
PIROUZ P
(Case Western Reserve Univ., Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 56 号： 14 ページ： 1353-1355 発行年： 1990年04月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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