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著者 (6件)：
資料名：
巻： 7 号： 6 ページ： 1333-1337 発行年： 1989年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902056168391185
整理番号：90A0236984
0.1μmのゲートを持つSi結合の超伝導性電界効果トランジスタの作製とその特性評価
Fabrication and characterization of Si-coupled superconducting field effect transistors with 0.1μm gate.
HATANO M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MURAI F
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
NISHINO T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KURE T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWABE U
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 7 号： 6 ページ： 1333-1337 発行年： 1989年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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