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著者 (8件)：
資料名：
巻： 10 号： 2 ページ： 61-63 発行年： 1989年02月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902056376671132
整理番号：89A0210957
ゲート長0.1μmの超伝導FET
0.1-μm Gate-length superconducting FET.
NISHINO T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
HATANO M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
MURAI F
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KURE T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
HIRAIWA A
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAGI K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWABE U
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 10 号： 2 ページ： 61-63 発行年： 1989年02月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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