文献
J-GLOBAL ID:200902057617894690
整理番号:91A0688038
半導体メモリ33ns 64Mb DRAM
A 33ns 64Mb DRAM.
著者 (9件):
OOWAKI Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TSUCHIDA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
WATANABE Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKASHIMA D
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OHTA M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAKANO H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
WATANABE S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NITAYAMA A
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HARA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻:
34
ページ:
114-115,299
発行年:
1991年02月
JST資料番号:
D0753A
ISSN:
0193-6530
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)