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文献
J-GLOBAL ID:200902057617894690   整理番号:91A0688038

半導体メモリ33ns 64Mb DRAM

A 33ns 64Mb DRAM.
著者 (9件):
OOWAKI Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
TSUCHIDA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
WATANABE Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
TAKASHIMA D
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
OHTA M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
NAKANO H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
WATANABE S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
NITAYAMA A
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
HARA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

巻: 34  ページ: 114-115,299  発行年: 1991年02月 
JST資料番号: D0753A  ISSN: 0193-6530  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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