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著者 (2件)：
資料名：
巻： 52 号： 1 ページ： 146-150 発行年： 1981年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902059454043487
整理番号：81A0245740
各種の炭化けい素ポリタイプの大型単結晶を育成するための一般的原理
General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes.
TAIROV Yu M
(Leningrad V.I. Ulyanov (Lenin) Electrotechnical Inst., USSR)
,
TSVETKOV V F
(Leningrad V.I. Ulyanov (Lenin) Electrotechnical Inst., USSR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 52 号： 1 ページ： 146-150 発行年： 1981年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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