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著者 (3件)：
資料名：
巻： 23 号： 11 ページ： L843-L845 発行年： 1984年11月
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902060197114899
整理番号：85A0200061
MOCVD法による(100)配向Si基板上での単一ドメインGaAs層の成長
Growth of single domain GaAs layer on (100)-oriented Si substrate by MOCVD.
AKIYAMA M
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
,
KAWARADA Y
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
,
KAMINISHI K
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 23 号： 11 ページ： L843-L845 発行年： 1984年11月
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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