文献
J-GLOBAL ID:200902060941721073
整理番号:92A0369316
低温Si-CVDエピタクシーのための水素中におけるSi(100)表面からの自然酸化物熱除去
Investigation of Thermal Removal of Native Oxide from Si(100) Surfaces in Hydrogen for Low-Temperature Si CVD Epitaxy.
著者 (4件):
YAMAZAKI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
MIYATA N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
AOYAMA T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
ITO T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
139
号:
4
ページ:
1175-1180
発行年:
1992年04月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)