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著者 (8件)：
資料名：
巻： 77 号： 1/3 ページ： 637-642 発行年： 1986年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902061144383908
整理番号：87A0079245
MOCVDによるAlGaAs/GaAs分布帰還型レーザダイオードの作製
AlGaAs/GaAs distributed feedback laser diodes grown by MOCVD.
OHATA T
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
HONDA K
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
HIRATA S
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
TAMAMURA K
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
MIYAHARA K
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
MORI Y
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
KOJIMA C
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 77 号： 1/3 ページ： 637-642 発行年： 1986年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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