文献
J-GLOBAL ID:200902063880924609
整理番号:92A0738102
厚いGaPウインドー層を使った555-620nmのスペクトル範囲における高性能AlGaInP発光ダイオードの二倍の効率改善
Twofold efficiency improvement in high performance AlGaInP light-emitting diodes in the 555-620nm spectral region using a thick GaP window layer.
著者 (8件):
HUANG K H
(Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California)
,
YU J G
(Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California)
,
KUO C P
(Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California)
,
FLETCHER R M
(Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California)
,
OSENTOWSKI T D
(Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California)
,
STINSON L J
(Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California)
,
CRAFORD M G
(Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California)
,
LIAO A S H
(Hewlett-Packard Optical Communications Division, California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
61
号:
9
ページ:
1045-1047
発行年:
1992年08月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)