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著者 (4件)：
資料名：
巻： 65 号： 6 ページ： 2475-2478 発行年： 1989年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902065273628432
整理番号：89A0342467
レーザ蒸発で作った高品質の光学用エピタキシャル成長Ge膜
High-quality optical and epitaxial Ge films formed by laser evaporation.
SANKUR H
(Rockwell International Science Center, CA, USA)
,
GUNNING W J
(Rockwell International Science Center, CA, USA)
,
DENATALE J
(Rockwell International Science Center, CA, USA)
,
FLINTOFF J F
(Rockwell International Science Center, CA, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 65 号： 6 ページ： 2475-2478 発行年： 1989年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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