文献
J-GLOBAL ID:200902065975355868
整理番号:87A0163477
Si上のGaAsの光ルミネセンスに及ぼす基板の方位の影響
Effect of substrate orientation on the photoluminescence of GaAs on Si.
著者 (6件):
KAJIKAWA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
OCHI S
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
HAYAFUJI N
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
MIZUGUCHI K
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
HIRANO R
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
MUROTANI T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名:
Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials
(Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials)
ページ:
125-128
発行年:
1986年
JST資料番号:
K19860706
ISBN:
4-930813-14-X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)