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著者 (4件)：
資料名：
巻： 30 号： 12B ページ： 3733-3740 発行年： 1991年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902066210213905
整理番号：92A0167143
TFT及び非常に低い圧力の化学蒸着(VLPCVD)により作製した多結晶シリコンの物理的特性
TFT and Physical Properties of Poly-Crystalline Silicon Prepared by Very Low Pressure Chemical Vapour Deposition (VLPCVD).
MIYASAKA M
(SEIKO EPSON Corp., Nagano)
,
NAKAZAWA T
(SEIKO EPSON Corp., Nagano)
,
YUDASAKA I
(SEIKO EPSON Corp., Nagano)
,
OHSHIMA H
(SEIKO EPSON Corp., Nagano)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 30 号： 12B ページ： 3733-3740 発行年： 1991年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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