文献
J-GLOBAL ID:200902066234406682
整理番号:91A0233064
セルパターン投影方式の電子ビームリソグラフィー 特製のSiアパーチャーを用いた新しいタイプの高スループット電子ビーム直接書込み法
Electron-beam cell projection lithography: A new high-throughput electron-beam direct-writing technology using a specially tailored Si aperture.
著者 (4件):
NAKAYAMA Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
OKAZAKI S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SAITOU N
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
WAKABAYASHI H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
8
号:
6
ページ:
1836-1840
発行年:
1990年11月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)