文献
J-GLOBAL ID:200902066361448300
整理番号:90A0639171
光CVD法によるシリコン窒化膜のたい積とアモルファスシリコン薄膜トランジスタ
Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride and fabrication of thin film transistor.
著者 (4件):
鈴木和彦
(東京農工大 工)
,
黒岩紘一
(東京農工大 工)
,
上迫浩一
(東京農工大 工)
,
垂井康夫
(東京農工大 工)
資料名:
電子情報通信学会論文誌 C-2
(Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻:
72
号:
10
ページ:
927-933
発行年:
1989年10月
JST資料番号:
L0196A
ISSN:
0915-1907
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)