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著者 (9件)：
資料名：
巻： 50 号： 21 ページ： 1533-1534 発行年： 1987年05月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902066580143752
整理番号：87A0537610
「化学蒸着法で作製した非ドープおよび窒素ドープベータSiC単結晶の電気特性の温度依存性」に対するコメント
Comment on “temperature dependence of electrical properties of non-doped and nitrogen-doped beta-SiC single crystals grown by chemial vapor deposition”.
SEGALL B
(Case Western Reserve Univ., OH, USA)
,
ALTEROVITZ S A
(Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA)
,
HAUGLAND E J
(Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA)
,
MATUS L G
(Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA)
,
SUZUKI A
(Sharp Corp., Tenri, JPN)
,
UEMOTO A
(Sharp Corp., Tenri, JPN)
,
SHIGETA M
(Sharp Corp., Tenri, JPN)
,
FURUKAWA K
(Sharp Corp., Tenri, JPN)
,
NAKAJIMA S
(Sharp Corp., Tenri, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 50 号： 21 ページ： 1533-1534 発行年： 1987年05月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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