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資料名：
巻： 59 号： 5 ページ： 1663-1666 発行年： 1986年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902067311109323
整理番号：86A0349445
再結晶過程での絶縁体上シリコン系の温度分布
Temperature distribution of silicon-on-insulator systems during recrystallization processing.
MIAOULIS I N
(Massachusetts Inst. Technology)
,
MIKI<span style=text-decoration:overline>C ́</span> B B
(Massachusetts Inst. Technology)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： 5 ページ： 1663-1666 発行年： 1986年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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