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著者 (3件)：
資料名：
巻： 33 号： 6 ページ： 645-650 発行年： 1990年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902067413103060
整理番号：90A0584921
シリコン中の注入不純物分布をシミュレーションする二重Pearson法のモデリングパラメータの効率のよい抽出法
Efficient modeling parameter extraction for dual pearson approach to simulation of implanted impurity profiles in silicon.
PARK C
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
KLEIN K M
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
TASCH A F
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 33 号： 6 ページ： 645-650 発行年： 1990年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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