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資料名：
巻： 59 号： 7 ページ： 2541-2550 発行年： 1986年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902067502137785
整理番号：86A0245124
乾燥酸素中のシリコン酸化の際の点欠陥生成 I 理論
Point-defect generation during oxidation of silicon in dry oxygen. I Theory.
DUNHAM S T
(Stanford Univ., California)
,
PLUMMER J D
(Stanford Univ., California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： 7 ページ： 2541-2550 発行年： 1986年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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