文献
J-GLOBAL ID:200902068235543554
整理番号:91A0232996
0.5μm以下のフォトリソグラフィー用の拡散促進型シリル化レジスト(DESIRE)処理での気相シリル化
Gas phase silylation in the diffusion enhanced silylated resist process for application to sub-0.5μm optical lithography.
著者 (5件):
BAIK K-H
(Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL)
,
VAN DEN HOVE L
(Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL)
,
GOETHALS A M
(Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL)
,
OP DE BEECK M
(Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL)
,
ROLAND B
(UCB Electronics, Haarsrode, BEL)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
8
号:
6
ページ:
1481-1487
発行年:
1990年11月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)