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資料名：
巻： 69 号： 11 ページ： 7945-7947 発行年： 1991年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902068783675973
整理番号：91A0609372
700°Cのプラズマ増速化学蒸着によるSi1-xCx膜の結晶構造
Crystal structure of Si1-xCX FILMS BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AT 700°C.
TAKESHITA T
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
ICHIGE K
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KURATA Y
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
HASEGAWA S
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 69 号： 11 ページ： 7945-7947 発行年： 1991年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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