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著者 (4件)：
資料名：
巻： 45 号： 4 ページ： 420-422 発行年： 1984年08月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902070152081596
整理番号：85A0234247
CF4/H2反応性イオンエッチングによるシリコンの汚染と表面近傍損傷に関する研究
Study of silicon contamination and near-surface damage caused by CF4/H2 reactive ion etching.
OEHRLEIN G S
(IBM, New York)
,
TROMP R M
(IBM, New York)
,
LEE Y H
(IBM, New York)
,
PETRILLO E J
(IBM, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 45 号： 4 ページ： 420-422 発行年： 1984年08月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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