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資料名：
巻： 52 号： 8 ページ： 616-618 発行年： 1988年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902071112224277
整理番号：88A0376950
シリコンの低温反応性イオンエッチングおよびマイクロ波プラズマエッチング
Low-temperature reactive ion etching and microwave plasma etching of silicon.
TACHI S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TSUJIMOTO K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
OKUDAIRA S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 52 号： 8 ページ： 616-618 発行年： 1988年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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