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著者 (9件)：
資料名：
巻： 26 号： 3 ページ： 291-294 発行年： 1992年03月
JST資料番号： T0093A ISSN： 0038-5700 CODEN： SPSEAX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902072046533324
整理番号：92A0782502
応力を印加したInxGa1-xAs-GaAs量子井戸構造における赤外放射のサブバンド間吸収
Intersubband absorption of infrared radiation in stressed quantum-well InxGa1-xAs-GaAs structures.
ALESHKIN V YA
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
ANSHON A V
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
BABUSHKINA T S
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
BATUKOVA L M
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
DEMIDOV E V
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
ZVONKOV B N
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
KUNTSEVICH T S
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
MALKINA I G
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
,
YAN’KOVA T N
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
資料名：
Soviet Physics. Semiconductors
(Soviet Physics. Semiconductors)
巻： 26 号： 3 ページ： 291-294 発行年： 1992年03月
JST資料番号： T0093A ISSN： 0038-5700 CODEN： SPSEAX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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