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著者 (7件)：
資料名：
巻： 1985 ページ： 509-512 発行年： 1985年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902076580653756
整理番号：86A0162059
浅いトレンチ分離を用いた無ラッチアップCMOS構造
Latchup-free CMOS structure using shallow trench isolation.
NIITSU Y
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
TAGUCHI S
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
SHIBATA K
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
FUJI H
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
SHIMAMUNE Y
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
KANZAKI K
(Toshiba Corp., Kawasaki)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1985 ページ： 509-512 発行年： 1985年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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