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著者 (2件)：
資料名：
巻： 62 号： 2 ページ： 662-672 発行年： 1987年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902077039694551
整理番号：87A0515017
CF4/H2グロー放電におけるシリコンのエッチング機構
Silicon etching mechanisms in a CF4/H2 glow discharge.
OEHRLEIN G S
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
WILLIAMS H L
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 62 号： 2 ページ： 662-672 発行年： 1987年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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