文献
J-GLOBAL ID:200902077479923650
整理番号:85A0352514
気相からの結晶成長に関係するシリコンおよび炭化けい素の表面と表面過程のコンピュータによる模型化
Computer modeling of Si and SiC surfaces and surface processes relevant to crystal growth from the vapor.
著者 (4件):
PEARSON E
(Stanford Univ., California)
,
TAKAI T
(Stanford Univ., California)
,
HALICIOGLU T
(Stanford Univ., California)
,
TILLER W A
(Stanford Univ., California)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
70
号:
1/2
ページ:
33-40
発行年:
1984年12月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)