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著者 (5件)：
資料名：
巻： 1988 ページ： 700-703 発行年： 1988年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902080002947850
整理番号：89A0404354
厚いサイドウォールを持つ高速GaAs LSI用の進んだ自己整合プロセス技術
Advanced self-alignment process technique with very thick sidewall for high speed GaAs LSIs.
TSUNOTANI M
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO N
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIMURA T
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
INOKUCHI K
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
SANO Y
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1988 ページ： 700-703 発行年： 1988年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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