文献
J-GLOBAL ID:200902085076054514
整理番号:91A0570942
低圧金属有機化学気相堆積で成長した高電子移動度GaN/AlxGa1-xNヘテロ構造
High electron mobility GaN/AlxGa1-xN heterostructures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.
著者 (4件):
KHAN M A
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
VAN HOVE J M
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
KUZIA J N
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
OLSON D T
(APA Optics Inc., Minnesota)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
58
号:
21
ページ:
2408-2410
発行年:
1991年05月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)