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著者 (3件)：
資料名：
巻： 22 号： 5 ページ： 748-754 発行年： 1987年10月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902087672640199
整理番号：87A0520778
MOS SRAMセルの定常雑音余裕解析
Static-noise margin analysis of MOS SRAM cells.
SEEVINCK E
(Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
,
LIST F J
(Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
,
LOHSTROH J
(Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 22 号： 5 ページ： 748-754 発行年： 1987年10月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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