文献
J-GLOBAL ID:200902088611009670
整理番号:93A0151556
rfスパッタで作製したTa2O5/SiO2積層薄膜の誘電破壊特性
Dielectric breakdown properties of Ta2O5/SiO2 stacked thin films prepared by r.f. sputtering.
著者 (5件):
ONISAWA K
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
,
ABE Y
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
,
NAKAYAMA T
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
,
FUYAMA M
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
,
ONO Y A
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
221
号:
1/2
ページ:
220-223
発行年:
1992年12月10日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)