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著者 (10件)：
資料名：
巻： 1992 ページ： 897-900 発行年： 1992年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902089073930211
整理番号：93A0380529
0.1μm以下のチャネル長に有効なSPDD pMOSFETの構造とその電気的特性
An SPDD p-MOSFET structure suitable for 0.1 and sub 0.1 micron channel length and its electrical characteristics.
SAITO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YOSHITOMI T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ONO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
AKASAKA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NII H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MATSUDA S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MOMOSE H S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KATSUMATA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
USHIKU Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1992 ページ： 897-900 発行年： 1992年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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