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資料名：
巻： 65 号： 10 ページ： 1227-1230 発行年： 1990年09月03日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902090407509316
整理番号：90A0854219
Si(100)上の室温Si成長とエピタキシャル成長に対する限界膜厚hepi
Limiting thickness hepi for epitaxial growth and room-temperature Si growth on Si(100).
EAGLESHAM D J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
GOSSMANN H-J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
CERULLO M
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 65 号： 10 ページ： 1227-1230 発行年： 1990年09月03日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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