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著者 (5件)：
資料名：
巻： 1990 ページ： 595-598 発行年： 1990年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902092916595933
整理番号：91A0537923
絶縁体上のシリコン「ゲート・オール・アラウンド・デバイス」
Silicon-on-insulator“gate-all-around device”.
COLINGE J P
(IMEC, Leuven, BEL)
,
GAO M H
(IMEC, Leuven, BEL)
,
ROMANO-RODR<span style=text-decoration:overline>I ́</span>GUEZ A
(IMEC, Leuven, BEL)
,
MAES H
(IMEC, Leuven, BEL)
,
CLAEYS C
(IMEC, Leuven, BEL)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1990 ページ： 595-598 発行年： 1990年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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