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著者 (6件)：
資料名：
巻： 46 号： 4 ページ： 381-383 発行年： 1985年02月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902094137840258
整理番号：85A0468332
分子ビームエピタキシャル成長したエルビウムをドープしたシリコンの1.54μmエレクトロルミネセンス
1.54-μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy.
ENNEN H
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
,
POMRENKE G
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
,
AXMANN A
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
,
EISELE K
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
,
HAYDL W
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
,
SCHNEIDER J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 46 号： 4 ページ： 381-383 発行年： 1985年02月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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