文献
J-GLOBAL ID:200902094269430407
整理番号:84A0119142
ウルツ鉱型半導体AlN,CdS,CdSe,ZnSおよびZnO中の欠陥の深い準位
Deep energy levels of defects in the wurtzite semiconductors AlN, CdS, CdSe, ZnS, and ZnO.
著者 (3件):
KOBAYASHI A
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
SANKEY O F
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
DOW J D
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
28
号:
2
ページ:
946-956
発行年:
1983年07月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)