文献
J-GLOBAL ID:200902095497143082
整理番号:84A0242909
エルビウムを注入したIII-V族半導体およびシリコンの1.54μmのルミネセンス
1.54-μm luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.
著者 (4件):
ENNEN H
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkorperphysik, West Germany)
,
SCHNEIDER J
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkorperphysik, West Germany)
,
POMRENKE G
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkorperphysik, West Germany)
,
AXMANN A
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkorperphysik, West Germany)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
43
号:
10
ページ:
943-945
発行年:
1983年11月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)