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著者 (6件)：
資料名：
巻： 32 号： 6 ページ： 4432-4437 発行年： 1985年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902096383579545
整理番号：86A0211701
SOI型記憶素子に及ぼす過渡的放射線の影響
Transient radiation effects in SOI memories.
DAVIS G E
(Naval Research Lab., Washington DC)
,
HITE L R
(Texas Instruments Inc.)
,
BLAKE T G W
(Texas Instruments Inc.)
,
CHEN C-E
(Texas Instruments Inc.)
,
LAM H W
(Texas Instruments Inc.)
,
DEMOYER R JR
(U.S. Naval Academy, MD)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 32 号： 6 ページ： 4432-4437 発行年： 1985年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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