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文献
J-GLOBAL ID:200902098461695290   整理番号:89A0318918

熱アニールによる非晶質Ge1-xAlx薄膜の電気抵抗率と構造の変化

Electrical resistivity and structural changes in amorphous Ge1-xAlx thin films under thermal annealing.
著者 (3件):
CATALINA F
(C.S.I.C., Madrid, ESP)
AFONSO C N
(C.S.I.C., Madrid, ESP)
ORTIZ C
(IBM Research Lab., CA, USA)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 167  ページ: 57-65  発行年: 1988年12月15日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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