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資料名：
巻： 71 号： 11 ページ： 5395-5400 発行年： 1992年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902098932743258
整理番号：92A0500821
グロー放電による多結晶および非晶質Si-C薄膜の結合特性のX線回折およびX線光電子分光法による研究
Bonding properties of glow-discharge polycrystalline and amorphous Si-C films studied by x-ray diffraction and x-ray photoelectron spectroscopy.
TAKESHITA T
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KURATA Y
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
HASEGAWA S
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 71 号： 11 ページ： 5395-5400 発行年： 1992年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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