文献
J-GLOBAL ID:200902099694488666
整理番号:90A0473645
へき開したGaAs上の高品質二次元電子ガスの形成
Formation of a high quality two-dimensional electron gas on cleaved GaAs.
著者 (7件):
PFEIFFER L
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
WEST K W
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
STORMER H L
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
EISENSTEIN J P
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
BALDWIN K W
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
GERSHONI D
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SPECTOR J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
56
号:
17
ページ:
1697-1699
発行年:
1990年04月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)