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資料名：
巻： 49 号： 10 ページ： 584-586 発行年： 1986年09月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902099989120610
整理番号：86A0537379
エピタキシャル立方晶系SiC膜における不純物補償
Compensation in epitaxial cubic SiC films.
SEGALL B
(Case Western Reserve Univ., Ohio)
,
ALTEROVITZ S A
(Lewis Research Center National Aeronautics and Space Administration, Ohio)
,
HAUGLAND E J
(Lewis Research Center National Aeronautics and Space Administration, Ohio)
,
MATUS L G
(Lewis Research Center National Aeronautics and Space Administration, Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 49 号： 10 ページ： 584-586 発行年： 1986年09月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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